檢索結果:共1筆資料 檢索策略: "indium".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="電特性"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材,採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜,以N取代O的位置,期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中,觀察在不同氧氣…